Sony develops the world’s first stacked CMOS image sensor technology with a 2-layer transistor pixel-Sony desarrolla la primera tecnología de sensor de imagen CMOS apilada del mundo con un píxel de transistor de 2 capas.

Sony develops the world’s first stacked CMOS image sensor technology with a 2-layer transistor pixel-Sony desarrolla la primera tecnología de sensor de imagen CMOS apilada del mundo con un píxel de transistor de 2 capas.


Sony develops the world’s first stacked CMOS image sensor technology with a 2-layer transistor pixel-Sony desarrolla la primera tecnología de sensor de imagen CMOS apilada del mundo con un píxel de transistor de 2 capas.

Sony Semiconductor Solutions Corporation (“Sony”) ha logrado desarrollar la primera tecnología de sensor de imagen CMOS apilada * 1 del mundo con píxel de transistor de 2 capas. Mientras que los fotodiodos y los transistores de píxeles de los sensores de imagen CMOS convencionales ocupan el mismo sustrato, la nueva tecnología de Sony separa los fotodiodos y los transistores de píxeles en diferentes capas de sustrato. Esta nueva arquitectura duplica aproximadamente * 2 el nivel de señal de saturación * 3 en relación con los sensores de imagen convencionales, amplía el rango dinámico y reduce el ruido, mejorando así sustancialmente las propiedades de imagen. La estructura de píxeles de la nueva tecnología permitirá que los píxeles mantengan o mejoren sus propiedades existentes no solo en los tamaños de píxel actuales sino también más pequeños.
Sony anunció este avance en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos de IEEE que comenzó el sábado 11 de diciembre de 2021.

Un sensor de imagen CMOS apilado adopta una estructura apilada que consiste en un chip de píxeles formado por píxeles retroiluminados apilados sobre un chip lógico donde se forman los circuitos de procesamiento de señales. Dentro del chip de píxeles, los fotodiodos para convertir la luz en señales eléctricas y los transistores de píxeles para controlar las señales están situados uno junto al otro en la misma capa. El aumento del nivel de la señal de saturación dentro de las limitaciones del factor de forma juega un papel importante en la obtención de una alta calidad de imagen con un amplio rango dinámico.

La nueva arquitectura de Sony es un avance en la tecnología de sensores de imagen CMOS apilados. Utilizando su tecnología de apilamiento patentada, Sony empaquetó los fotodiodos y los transistores de píxeles en sustratos separados apilados uno encima del otro.
En los sensores de imagen CMOS apilados convencionales, por el contrario, los fotodiodos y los transistores de píxeles se colocan uno junto al otro en el mismo sustrato. La nueva tecnología de apilamiento permite la adopción de arquitecturas que permiten optimizar las capas de fotodiodos y transistores de píxeles para cada una, duplicando así aproximadamente el nivel de la señal de saturación en relación con los sensores de imagen convencionales y, a su vez, ampliando el rango dinámico.

Además, debido a que los transistores de píxeles distintos de las puertas de transferencia (TRG), incluidos los transistores de reinicio (RST), transistores selectos (SEL) y transistores de amplificador (AMP), ocupan una capa libre de fotodiodos, los transistores de amplificador pueden aumentar de tamaño. Al aumentar el tamaño del transistor del amplificador, Sony logró reducir sustancialmente el ruido al que son propensas las imágenes nocturnas y de otros lugares oscuros.
El rango dinámico ampliado y la reducción de ruido disponibles con esta nueva tecnología evitarán la subexposición y la sobreexposición en entornos con una combinación de iluminación brillante y tenue (p. Ej., Ajustes de retroiluminación) y permitirán imágenes de alta calidad y bajo ruido incluso con poca luz (p. Ej. , interior, nocturno).

Sony contribuirá a la obtención de imágenes de cada vez más alta calidad, como fotografías de teléfonos inteligentes, con su tecnología de píxeles de transistores de 2 capas.

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